国内第二条波长255~285纳米的深紫外LED生产线今天在太湖县裕田光电显示有限公司建成并投产，标志着我国半导体照明产业的发展水平实现质的飞跃。据悉，这是深紫外LED在国内首次实现商业化量产。
据太湖县裕田光电显示有限公司董事长瞿鸯女生介绍，他们研发生产的具有自主创新知识产权的深紫外LED产品，委托了目前国内具有深紫外LED检测能力的深圳倍测检测机构进行了产品检测。记者从“倍测检测”出具的测试报告看到，裕田光电自主研发生产的波长255~285纳米的深紫外LED,在20毫安连续直流电流下，发光强度超过2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%；目前用它制成的深紫外LED模组标定输出功率超过32毫瓦。
III-V族氮化物是目前所知的最理想，覆盖光谱最全的全固态紫外发光材料。被广泛的应用于消毒、水和食品处理、医疗器械、高分子聚合物固化、防伪、军事通信等领域，具有体积小、光密度高、无污染等优点。波长为255—280纳米的紫外线对细菌和病毒有着很强的杀伤力。主要原因是所有的细菌，病毒的遗传物质（DNA）对这个波段的紫外线有着很强的吸收，紫外线光子所携带的能量能有效的破坏DNA的链状结构，使细菌和病毒无法复制（繁殖），从而达到消毒灭菌效果。
成立于2015年的太湖县裕田光电显示有限公司，一直致力于氮化镓基（AlGaN）金属有机物化学气相沉积设备（GaN-MOCVD）的研发，取得了MOCVD设备制造技术、高质量GaN外延材料制备技术、高性能p型GaN材料制备技术、高质量InGaN/GaN多量子阱制备技术、高亮度GaN蓝光、紫光以及紫外光LED外延片制备技术、高Al组分AlGaN材料制备技术和深紫外LED制造技术等关键技术突破。
我司自主研发生产的国内首台深紫外LED外延生长设备，打破了该设备一直被国外公司垄断的局面。2002年与西安电子科技大学合作，承担了国家科研项目，成功研制出我国首台2英寸单片和2英寸3片GaN-MOCVD设备，该设备被青岛市认定为高新技术产品。
我公司是目前国内**一家能够专业化生产GaN-MOCVD设备厂家，同时利用自产MOCVD设备，建成了从外延生长、芯片制备及到封装的专业化深紫外LED生产线。波长为小于300纳米的深紫外LED生产线设计年产规模达到1000万粒，成为国内**深紫外LED专业化生产厂家。
